GaAs-FET Leistungsverstärker

Produkt ID !!! Frequenzbereich 2500 ... 2700 MHz Eingangsleistung für P1dB min. 35 dBm Ausgangsleistung P1dB min. 44 dBm (CW) Ausgangsleistung P1dB min. 25 W (CW) Ausgangsleistung P3dB typ. 44,7 dBm (CW) Ausgangsleistung P3dB typ. 30 W (CW) Ausgangsleistung COFDM (1) min. 40 dBm Ausgangsleistung COFDM (1) min. 10 W Verstärkung (Kleinsignal) typ. 10 dB, min. 9 dB Welligkeit (Kleinsignal) typ. +/- 1 dB Oberwellenunterdrückung typ. 60 dB @ 43 dBm IM3 (2) min. 50 dBc @ 37 dBm PEP IM3 (2) min. 44 dBc @ 40 dBm PEP Wirkungsgrad min. 25 % @ 43 dBm (CW) Eingangsanpassung (S11) min. 20 dB Einschaltspannung +5 ... 14 V DC Versorgungsspannung +11 ... 14 V DC Stromaufnahme @ P1dB typ. 6 A Detektion vorl. Leistung ja (Dioden-Detektor) Detektion rückl. Leistung ja (Dioden-Detektor) Betriebstemperatur (Gehäuse) -20 ... +55 °C Eingang / Impedanz SMA-Buchse / 50 Ohm Ausgang / Impedanz SMA-Buchse / 50 Ohm Gehäuse gefrästes Aluminium Abmessungen (mm) 130 x 60 x 20 Gewicht typ. 250 g (1) Gemessen mit QAM 64, Einzelträger, EVM: 2% (2) Gemessen mit 2-Ton, Frequenzabstand: 1 MHz